机译:通过原子层沉积工艺中的原位低温处理提高锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的氧化锆介电质
Natl Tsing Hua Univ Dept Engn & Syst Sci Hsinchu 30010 Taiwan;
Germanium p-channel metal-oxide-; semiconductoofield-effect-transistor; Oxygen-based plasma; Gate dielectric; Atomic layer deposition; Low temperature process;
机译:原位等离子体增强原子层沉积处理对HfO 2 sub> / In 0.53 sub> Ga 0.47 sub>作为金属-氧化物-半导体性能的影响场效应晶体管
机译:具有高κ氧化物/氮化钨栅叠层的锗金属氧化物半导体场效应晶体管的绝缘氮化物界面层的原子层沉积
机译:氧化ha门控锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低温迁移率
机译:高k HfAlO栅极介电层的原子层沉积(ALD)功能增强了AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:氧化ha门控锗p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的低温迁移率
机译:G沟道,电子辐射和质子辐射暴露于p沟道,增强,金属氧化物半导体,场效应晶体管