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机译:原位等离子体增强原子层沉积处理对HfO 2 sub> / In 0.53 sub> Ga 0.47 sub>作为金属-氧化物-半导体性能的影响场效应晶体管
Department of Materials Science and Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan;
AlN; In0.53Ga0.47As; MOSCAP; MOSFET; plasma-enhanced atomic layer deposition; remote-plasma treatment;
机译:原位原子层沉积HfO2的高性能自对准反型沟道In0.53Ga0.47As金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:原位沉积HfO_2的高性能自对准反型沟道In_(0.53)Ga_(0.47)作为金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:利用原位原子层沉积法完善Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)As界面电子结构以推动金属氧化物半导体场效应晶体管器件极限
机译:高k HfAlO栅极介电层的原子层沉积(ALD)功能增强了AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能
机译:铟0.53镓0.47砷场效应晶体管的器件建模,分析和制造。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:用Al2O3 / HFO2对IN0.53GA0.47AS三栅极金属氧化物 - 半导体 - 效应 - 晶体管对低功率逻辑应用的影响等效氧化物厚度和翅片宽度缩放的影响
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。