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机译:通过Eu +注入的GaN层的热退火进行晶格恢复的UV拉曼散射研究
CSIC, Inst Jaume Almera, E-08028 Barcelona, Spain;
Univ Strathclyde, SUPA, Dept Phys, Glasgow G4 0NG, Lanark, Scotland;
Univ Montpellier 2, GES, F-34095 Montpellier, France;
ITN, P-2686953 Sacavem, Portugal;
rare earth doping; ion beam implantation; Raman scattering; DOPED GAN; TEMPERATURE; PHOTOLUMINESCENCE; DAMAGE;
机译:GaN离子注入剂量和退火温度的增加对AlGaN / GaN超晶格和GaN外延层中光致发光的影响
机译:使用GaN / AlN超晶格作为MOCVD生长的阻挡层的AlGaN / GaN异质结构中2DEG特性的研究
机译:在通过常规快速热退火激活的Mg注入层中制造的离子注入GaN MISFET
机译:钛注入硅层上晶格恢复的可见光和紫外拉曼散射研究
机译:一,拉曼散射和X射线衍射研究对砷化镓-砷化铝超晶格中局限的LO和折叠的LA声子的退火作用。二。皮秒光散射研究砷化镓/铝(x)镓(1-x)砷化物多量子阱结构中的弛豫和隧穿
机译:以AlN / GaN超晶格为阻挡层的MOCVD法生长GaN HEMT中的2-DEG特性
机译:错误:对高温快速热退火的GaN薄层研究半导体32,1048-1053(1998年10月)