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离子注入GaN的拉曼散射研究

         

摘要

研究了离子注入前后GaN的拉曼散射光谱,特别是其中几个在各种离子注入后都存在的拉曼散射峰,如298,362和661cm-1峰的性质,峰值强度随注入元素原子量、注入剂量和退火温度的变化关系.上述三个拉曼散射峰的强度都随注入元素原子量的增加而降低.当注入剂量增大时,362和661cm-1峰值强度减少,而298cm-1峰值强度却增大.随退火温度的升高,这三个拉曼散射峰的强度先增加后降低.对所观察到的实验现象和这三个峰的起源进行了分析和讨论.

著录项

  • 来源
    《物理学报》 |2002年第3期|629-634|共6页
  • 作者单位

    山东曲阜师范大学物理系;

    北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室;

    北京大学物理学院,北京,100871;

    北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室,化学与分子工程学院物理化学研究所,北京,100871;

    北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室,化学与分子工程学院物理化学研究所,北京,100871;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 物理学;
  • 关键词

    GaN; 离子注入; 拉曼散射; 局域振动;

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