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张纪才; 戴伦; 秦国刚; 应丽贞; 赵新生;
山东曲阜师范大学物理系;
北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室;
北京大学物理学院,北京,100871;
北京大学分子动态与稳态结构国家重点实验室,化学与分子工程学院物理化学研究所,北京,100871;
GaN; 离子注入; 拉曼散射; 局域振动;
机译:通过离子注入和GaN中的C_2H_6气体进行碳掺杂:卢瑟福(Rutherford)背散射/沟道,拉曼散射和光致发光研究
机译:锰离子注入GaN的拉曼散射研究
机译:镁离子注入的GaN薄膜的拉曼散射和光致发光
机译:离子注入砷化镓结构的拉曼散射研究。
机译:具有ALD-Al2O3栅极电介质的全离子注入常关GaN DMOSFET
机译:Mn离子注入,沉积和后退火制备的Ga1-xMnxAs的拉曼散射研究
机译:离子注入半导体的拉曼和RBs(卢瑟福背散射光谱法)研究
机译:拉曼散射信号获得装置,拉曼散射识别装置,拉曼散射信号获得方法和拉曼散射识别方法
机译:拉曼散射信号获取装置,拉曼散射识别装置,拉曼散射信号获取方法和拉曼散射识别方法
机译:拉曼散射纳米探针,制备方法和进行拉曼研究的方法
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