注碳GaN的拉曼散射谱研究

摘要

本文研究了离子注入碳的ＧａＮ材料的Ｒａｍａｎ光谱。观察到离子注入碳的ＧａＮ在８００℃退火后其拉曼光谱在１３５０和１６００ｃｍ＾－１处出现两个峰。分析指出它们很可能分别来自ＧａＮ的Ｃ－Ｎ和Ｃ＝Ｃ局域伸缩振动。