GaN和GaN:Mg外延膜低温拉曼谱的对比研究

摘要

对液氮温度下六方相GaN和掺Mg的P型GaN薄膜的拉曼谱进行了对比研究.除对两个样品中主晶格振动模进行了对比分析外,着重讨论了位于247 cm-1的散射峰的产生机制.结果表明GaN:Mg的谱中该峰的散射强度随温度升高先增大再减小,在500K以上消失且对样品重新降温到78K观察此峰不再出现,因此认为它是缺陷产生的振动模.而GaN样品中经同样加热降温的过程此峰仍然存在,说明两个样品中该峰的产生机制不同.此外,在GaN:Mg的谱中还观察到Mg诱导的局域振动模.