GaN基外延膜的激光剥离和InGaN LD外延膜的解理

黎子兰; 胡晓东; 章蓓; 陈科; 聂瑞娟; 张国义

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利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离.对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaN LD外延膜(5μm)实现了大面积剥离.对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离.同时对剥离后的InGaN多量子阱 LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaN LD腔面平整光滑.基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件.

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来源
《激光技术》|2004年第1期|29-32|共4页
作者
黎子兰; 胡晓东; 章蓓; 陈科; 聂瑞娟; 张国义;
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作者单位

北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;

北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;

北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;

北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学,物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;

北京大学,宽禁带半导体研究中心,北京,100871;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
剥离; GaN; InGaN LD; 解理;
入库时间 2023-07-25 16:25:39

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