解理

摘要： 自2004年石墨烯被首次从石墨中解理出来以来,二维材料的研究已经走过了18个年头.在这近二十年的时间里,二维材料已经发展成为一个庞大的家族;这些二维材料展现出丰富多样的性质,涵盖了凝聚态物理研究的各个主要方向.更为重要的是,二维材料研究开辟了一个材料物理研究的新范式:把一个层状的晶体块材减薄到单层或少层,所得到的二维材料往往会展现出与块材母体完全不一样的特性.新的物理也随之涌现,例如石墨烯中的狄拉克费米子物理以及单层二维过渡金属硫族化合物中的谷自旋物理.更进一步,这些二维材料原则上可以像魔角双层石墨烯一样,通过堆叠形成异质结,成为发现新效应、新物理的另一个源泉.Mounet等人的计算表明,迄今实验上制备出的二维材料只是冰山的一角,理论上可以解理到单层的二维材料可能有上千种.二维材料及其异质结构的研究因此蕴含着巨大的原创性发现的机会.

摘要： 通过密度泛函理论和断裂键理论,研究了菱锌矿化学键特性和断裂键各向异性,确定了常见解理面.结果表明,菱锌矿晶体中Zn-O键强度低于C-O键,解理时优先发生Zn-O键断裂.菱锌矿各晶面只有Zn-O断裂时,断裂键密度与表面能正相关,但当C-O键和Zn-O键不均等断裂时断裂键密度与表面能不存在对应关系.表面能和断裂键密度证明(104)面、(018)面和(214)面是菱锌矿最常见解理面,且(018)面和(214)面Zn位点活性大于(104)面.分析还得出菱锌矿和钙镁碳酸盐脉石矿物(方解石、白云石)常见解理面活性位点空间排布规律相似,表面金属位点的化学性质差异是实现三种矿物分选、筛选高效药剂的重要依据.

摘要： 通过断裂韧性与硬度测试,结合定量金相、电子探针(EPMA)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等,建立了含钒0.10％(质量分数)50Mn钢的断裂韧性与显微组织的关系.结果表明,解理断裂韧性与原奥氏体晶粒尺寸呈负相关关系,晶粒的细化及均匀化能显著提高钢的断裂韧性,可作为重要的控制中碳微合金钢强韧配合关系的组织参量单元.细小均匀的晶粒和未溶的第二相粒子还可使铁素体的形核点增多,从而提高先共析铁素体的体积分数,进一步增大裂纹扩展阻力.

摘要： The effect of grinding on the spodumene flotation was investigated. The flotation response of spodumene ground by different mills was different, due to the variation of metal ions on spodumene surfaces caused by grinding environments and/or impurities. The samples were subjected to acid pickling treatment to remove most of the metal ions from the surfaces, and then all samples showed the same poor flotation response, which confirmed the significance of surface metal ions. Metal ion impurities may come from both grinding environments and lattice substitutions in spodumene. Density functional theory (DFT) calculation revealed that Fe and Ca could exist as lattice substitutions on the spodumene surface while Mg substitution is unlikely to occur. Furthermore, Fe is considered to be active site for the absorption of sodium oleate on the spodumene surface. Morphology analysis showed differences in particle size and shape for samples ground by different mills, resulting in different amounts of exposed surfaces. The particle size, cleavage characteristics caused by grinding environments, and metal ion impurities originated from grinding and isomorphous substitutions, play significant roles in the chemisorption of collector on the spodumene surface.%研究油酸钠体系中磨矿对锂辉石浮选行为的影响.不同磨矿环境导致锂辉石表面暴露的金属活性位点的含量有差异,从而显著影响锂辉石的可浮性.酸处理后金属活性位点脱离锂辉石表面,使得锂辉石的可浮性下降,进一步表明金属活性位点对锂辉石浮选的重要作用.金属离子杂质可能来源于磨矿环境或晶格杂质.密度泛函理论(DFT)计算表明,杂质铁、钙质点主要是以晶格取代的形式存在于锂辉石表面,镁难以发生晶格取代.与钙和镁相比,铁更易于与油酸钠发生相互作用.扫描电镜结果表明,锂辉石的粒度和解理特性不同,导致其暴露晶面的差异.在不同磨矿环境下,粒度、解理特性和金属离子杂质对油酸钠捕收剂浮选锂辉石起着重要作用.

摘要： 利用密度泛函理论研究了辉钼矿和黄铁矿的晶体结构及表面性质.研究发现,辉钼矿的禁带宽度比黄铁矿大.辉钼矿(001)面的表面能明显小于(100)面,故辉钼矿易倾向于平行(001)面完全解离;辉钼矿(001)面的氧化反应位点为Mo原子,还原反应位点为Mo和S原子,而(100)面的氧化还原反应位点均为Mo原子;黄铁矿倾向于平行(100)面极不完全解离,(100)面的氧化还原反应位点均为Fe原子.原子电荷及化合键Mulliken布居显示,辉钼矿(100)面上原子所带的电荷数明显高于(001)面,所以(100)面与浮选药剂的静电作用将明显强于(001)面;辉钼矿(001)面的S—Mo键共价性大于(100)面,表明(001)面的疏水性大于(100)面.由此可知,辉钼矿(001)面倾向于与非极性药剂作用,而(100)面则更易于与极性药剂发生作用.

摘要： 通过扫描电镜(SEM)观察了SiC籽晶上生长AlN单晶的断裂面形貌。模拟了SiC籽晶与AlN晶体之间的应力分布。通过计算不同晶面的面间距,确定了六方晶系的AlN晶体中m面为解理面。拉曼光谱仪对不同晶面的特性进行了表征。结果表明,断裂面为m面,即裂纹扩展并沿m面解理形成断裂面。切割面为c面,AlN沿垂直于c方向生长。拉曼光谱中波数为656.2cm-1的(E2(high)声子模为AlN单晶中的特征拉曼峰)声子模式的半高宽为6.5cm-1,晶体质量高。残余的张应力是裂纹产生的主要原因。

摘要： 通过提拉法制备了直径50 mm,长度144 mm的大尺寸、高质量的Tm:YAP激光晶体,研究了不同的温场结构对于晶体完整性以及晶体质量的影响,结果表明上空腔温度梯度较小,温度均匀性较高的温场设计能够有效的解决Tm:YAP晶体开裂、解理、弥散状散射和絮状物现象。

摘要： 对S135钻杆钢在空气和H2S环境中进行了不同应力幅下的疲劳试验,得到了不同条件下的疲劳寿命,并应用回归分析方法得到了该钻杆钢在不同环境中的疲劳寿命公式,分析了其疲劳断裂机制.结果表明:在空气环境中,试验钢呈现明显的疲劳极限特征;在H2S环境中,相同当量应力幅下试验钢的疲劳寿命比在空气环境中的低,且在很低的当量应力幅下仍会发生断裂,不存在疲劳极限;在不同环境和不同当量应力幅下,试验钢的疲劳裂纹均萌生于试样表面或靠近表面处,裂纹源区以解理断裂为主;在空气环境中,裂纹扩展区以疲劳条带为主要特征,在H2S环境中,裂纹扩展区以解理平面和解理台阶为主要特征,在其解理平面上存在大量的二次裂纹,具有氢脆断裂的特征.%Fatigue tests under different stress amplitude were conducted on S135 drill pipe steel in air and H2S environments, and the fatigue lives under different conditions were obtained.The fatigue life formulas of the drill pipe steel in different environments were obtained by a data regression analysis method, and the fatigue fracture mechanism was analyzed.The results show that the tested steel had an obvious characteristic of fatigue limit in the air environment.The fatigue lives of tested steel in the H2S environment were lower than those in the air under the same equivalent stress amplitude, the fracture happened under relatively low equivalent stress amplitude and no fatigue limit existed.The fatigue cracks in the tested steel were all initiated at or near the surface in different environments and under different equivalent stress amplitude, and the crack initiation region exhibited mainly cleavage fracture.The crack propagation region showed a main characteristic of fatigue striations in the air while of cleavage fracture and cleavage steps in the H2S environment.On the cleavage fracture surface existed lots of second cracks, indicating a characteristic of hydrogen embrittlement fracture.

摘要： The 45B steel pin shaft used for chain tracks fractured early during use.The fracture reasons of the pin shaft were analyzed by means of chemical composition analysis,hardness testing,depth measurement of effective hardened layer,metallographic examination and fracture analysis.The results show that:the fracture type of the pin shaft was mixed of quasi-cleavage fracture and ductile fracture;the micro pores caused by peeling off of the spheroidal oxides formed the crack source during use;under the action of bending stress,the crack source expanded rapidly and resulted in the early fracture of the pin shaft.%某45B钢链轨销轴在使用过程中发生早期断裂.通过化学成分分析、硬度测试、有效硬化层深度测定、金相检验、断口分析等方法,对销轴的断裂原因进行了分析.结果表明:销轴断裂机制为准解理断裂+韧性断裂的混合型断裂;在使用过程中,45B钢材料中的球状氧化物剥落留下微孔洞形成裂纹源,在弯曲应力的作用下,裂纹源迅速放射扩展,造成销轴早期断裂.

摘要： 本发明涉及解理装置、解理设备和解理方法。解理装置包括：壳体，形成有能构建超高真空环境的腔体，所述腔体内设有传样通道，所述壳体适于浸没在冷却流体中；解理组件，设置在所述腔体内并能在所述传样通道的下方运动以靠近或远离所述传样通道；其中，所述腔体还适于容纳测试装置。本发明能实现从解理到测试的全程低温环境。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括用于盛放保护液的容腔、在所述容腔内设置有浸入保护液内的用于半导体器件解理的解理台和位于所述解理台的一侧并能够接收从解理台上滑落的巴条的夹具。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件需要解理的时候，将半导体器件浸入到保护液中，在保护液中进行解理，从而使解理的新鲜的腔面与空气的水、氧等其他杂质隔离，避免腔面吸附氧气氧化和吸附气体等，且保护液覆盖腔面并能够使腔面上形成保护膜，并移动蒸镀腔室内以后，经过处理能够使腔面上的保护膜去除，得到新鲜的腔面。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化或者污染等。

摘要： 本发明提供一种真空解理系统，包括解理装置，其包括第一进样台及对应于所述第一进样台设置的劈刀，用于半导体芯片的输送及解理成巴条；设有第二进样台的陪片输送装置，用于往所述巴条之间插入陪片；以及，设有巴条盒的采样装置，所述采样装置设于所述解理装置及所述陪片输送装置之间；所述第一进样台出口及所述第二进样台出口分别与所述巴条盒入口对应。本发明还提供利用上述解理系统解理半导体芯片的方法。本发明能实现在真空条件下自然解理激光器芯片，并从进样、解理、镀膜到取样的整个操作过程均不触及激光器的腔面，从而可以大幅度提高激光器的质量和制作效率。

摘要： 本发明涉及解理装置、解理设备和解理方法。解理装置包括：壳体，形成有能构建超高真空环境的腔体，所述腔体内设有传样通道，所述壳体适于浸没在冷却流体中；解理组件，设置在所述腔体内并能在所述传样通道的下方运动以靠近或远离所述传样通道；其中，所述腔体还适于容纳测试装置。本发明能实现从解理到测试的全程低温环境。

摘要： 本发明提供了一种解理装置及解理设备，该装置包括沿同一方向顺次设置的撞击组件、样品台以及收集装置，样品台用于安装带有解理棒的样品；其中，撞击组件能够撞击置于样品台上的样品的解理棒并将解理棒击落至收集装置内，以完成对样品的解理；撞击组件、样品台以及收集装置沿竖直方向由上至下顺次安装在解理装置的支架上；撞击组件包括撞击杆以及限位结构，撞击杆沿竖直方向设置，撞击杆上具有供限位结构卡接的缺口。基于本发明的技术方案，适用于真空以及低温环境，能够定点收集解理棒以及解理过程中的颗粒物，避免损坏真空泵，能够保证每次的撞击力度相同，还能方便将撞击组件调节至需要的撞击力度。

摘要： 本发明涉及微纳加工技术领域，公开了一种解理装置及解理方法，包括承载机构和按压机构，承载机构包括限位件、载台和压力检测器，用于承载待按压的衬底，限位件对应于按压台的位置具有安装腔，载台和压力检测器位于安装腔中，安装腔的腔壁限制载台在垂直于工作面的方向运动。按压机构包括按压台，用于获取附有二维材料的胶带并将胶带按压至衬底上，压力检测器用于检测按压台对载台的压力，可精确显示附着在其上的压力，从而反应出解理过程中按压台将胶带按压至衬底的力度，量化了解理过程的参数，对按压力实现量化可控，减少了人为因素的影响，提高材料解理加工的可重复性。采用上述解理装置的解理方法也具有上述优点。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括用于盛放保护液的容腔、在所述容腔内设置有浸入保护液内的用于半导体器件解理的解理台和位于所述解理台的一侧并能够接收从解理台上滑落的巴条的夹具。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件需要解理的时候，将半导体器件浸入到保护液中，在保护液中进行解理，从而使解理的新鲜的腔面与空气的水、氧等其他杂质隔离，避免腔面吸附氧气氧化和吸附气体等，且保护液覆盖腔面并能够使腔面上形成保护膜，并移动蒸镀腔室内以后，经过处理能够使腔面上的保护膜去除，得到新鲜的腔面。

摘要： 本发明提供一种半导体器件解理装置及解理方法，涉及半导体器件的技术领域，该半导体器件解理装置包括解理装置主体，所述解理装置主体具有用于半导体器件解理的解理区域；喷雾装置，用于使保护液形成雾状并向解理区域喷洒，以使解理后的巴条的腔面被保护液覆盖并形成保护膜；高压电场装置，用于使喷雾装置喷洒的保护液电离并形成带电喷雾。本发明提供的半导体器件解理装置能够在常压下使用，不需要超真空；当半导体器件在大气环境解理的时候，通过喷雾装置向解理区域喷洒保护液，使保护液一方面可以消除腔面活跃的不饱和的悬挂键（不饱和的悬挂键易与离子结合），另一方面，雾化的保护液可以在腔面表面形成保护膜，保护腔面不被氧化或者污染等。

摘要： 本发明提供的一种用于芯片解理的裂片装置及芯片解理设备，属于芯片解理技术领域，用于芯片解理的裂片装置包括：裂片刀；裂片受台；两块所述支撑块的上表面形成适于放置待解理芯片的承载面；两个支撑块之间形成与所述裂片刀的尖端相对设置的切割缝；两块所述支撑块分别设置在支撑台上；所述待解理芯片的切割线靠近所述承载面、且与所述切割缝对应放置；对准镜头，设置在两个支撑台之间；所述对准镜头的发光端朝向所述切割缝设置；本发明的用于芯片解理的裂片装置，向下移动裂片刀，使得裂片刀与待解理芯片的切割线的背面抵接，并给裂片刀提供按压力，使得芯片沿切割线的方向裂片，顺利完成芯片的解理。