发光器件

摘要： 磁场效应(magnetic field effects,MFEs)指的是材料或器件的光电物理特性(包括光致发光、电致发光、注入电流、光电流等)在外加磁场下发生的变化.本文所述的是非磁性发光材料的MFEs,其首先在有机半导体光电器件中被发现.近十几年来,MFEs作为一种新兴的物理现象引起了广泛的研究;同时它也成为一种独特的实验手段,用以探讨有机半导体中电荷的输运、复合以及自旋极化等过程.近期的研究发现,MFEs不仅存在于有机半导体中,而且在拥有强自旋-轨道耦合作用的金属卤化物钙钛矿材料中被观测到,这既拓展了MFEs的研究方向,也为通过研究MFEs来探索金属卤化物钙钛矿器件的物理机制,进而为提升其器件性能提供了契机.本文重点关注有机半导体和卤化物钙钛矿在磁场下的电致发光和光致发光变化,即发光的磁场效应.回顾了到目前为止主流的理论模型和代表性实验现象,对比分析了磁场下有机半导体和卤化物钙钛矿的发光物理行为.以期为有机及钙钛矿磁场效应领域的研究提供一些思路,同时为有机及钙钛矿发光领域的发展贡献些许想法.

摘要： 稀土配合物独特的光物理性质决定其在发光器件、荧光探针等领域具有重要应用前景,因而受到广泛关注。本文总结了光功能稀土配合物研究的相关研究进展,梳理了相关的稀土配合物的光物理性质和发光机理理论,重点总结了近年来稀土配合物在有机电致发光器件、荧光探针等领域的研究进展,并对其未来的应用和研究进行了展望。

摘要： 8月16日,我参加了一场京东方在成都举办的创新技术品鉴会。会议的主题为“柔·见所未见”,在我看来,这场会议主要有两层意义,一是秀出京东方在OLED技术上的“肌肉”——首次发布了全新一代Q9发光器件,同时也正式公布了全新自研蓝钻™像素排列方式;二是全面展示京东方在西南布局的柔性OLED产业集群——成都、绵阳、重庆三条6代柔性AMOLED生产线,整个投资额将近1400亿元。

摘要： 根据世界卫生组织统计,全球睡眠障碍率达27%,其中,中国有超3亿人有睡眠障碍。如何让失眠人睡得好,成为社会亟待解决的问题。研究显示,从电子设备中发出的蓝光,能够影响人体褪黑素的生成,进而影响人们的睡眠质量。也就是说,被人类忽视的照明系统或将改善人类的睡眠质量。北京大学物理系教授陈志忠常年研究凝聚态物理,在发光器件微型L E D灯方面研究颇深,他和团队正努力研发改善睡眠的日光灯并将其推向市场,以帮助人们提高睡眠质量。

摘要： ZnS材料是第三代半导体,可以应用于不同领域当中.介绍了ZnS材料的基本性质;介绍了ZnS材料在光催化中可用作光催化剂、在太阳能电池中可用作太阳能电池的缓冲层、是良好的发光材料可以应用于光器件中;并且综述了国内外对于ZnS材料在光催化中催化效率、太阳能电池中理论与实验的关系、光器件中发光效率的发展状况,最后对ZnS材料的制备以及热学性质方面提出了一些展望.

摘要： 铅卤钙钛矿纳米晶具有优异的光电性能,在太阳能电池、光电探测和生物成像等领域展现出巨大的发展潜力.然而,铅卤钙钛矿纳米晶自身稳定性差的缺陷制约了其在实际生活中的应用.将铅卤钙钛矿纳米晶嵌入到聚合物中以制备钙钛矿-聚合物复合材料是近年来发展起来的一种有效增强钙钛矿稳定性的策略,特别是致密的聚合物基质赋予钙钛矿纳米晶优异的水稳定性.本文综述了近十年钙钛矿-聚合物复合材料的制备方法及在发光器件和生物医药等领域的应用,探讨了目前仍存在的一些问题和解决方法,并对未来这一领域的发展进行了展望.

摘要： 硅基光电集成回路是信息时代最具影响力的核心技术之一,由硅基光源、光电探测器、光调制器等模块组成.硅材料是微电子集成电路的基石,然而在光电集成方面却遇到了瓶颈.首先,由于硅是间接带隙材料,其发光效率极低,因此难以应用于硅基高效光源的研制.其次,硅在近红外通讯波段吸收系数很低,因此在近红外光电探测器的应用中具有较大的局限性.然而,研究者发现,通过能带工程将硅与其他Ⅳ族材料相融合不仅可以有效提高直接带高效发光效率,同时能使材料在近红外波段具有较高的吸收系数.因此,以Ⅳ族材料为基础,与硅工艺兼容的硅基光电集成回路引起了研究者的广泛关注.本文综述了课题组在硅基材料外延生长及其发光和探测器件方面的研究进展.介绍了硅基Ⅳ族材料Ge,SiGe/Ge异质结和量子阱材料的外延生长技术,以及硅基GeSn量子点发光材料的制备新方法.基于硅基Ⅳ族异质结构材料,发展调制金属与半导体接触势垒高度新机理,研制了多种结构的光电探测器.设计并制备了与互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)结构兼容的横向异质结以及双有源区垂直共振腔型两种结构硅基电致发光器件,有效提升器件的发光性能,并观察到应变锗发光增益现象.

摘要： 据报道,中科院苏州纳米所博士袁伟联合浙江师范大学副教授孟秀清采用全印刷的方法在弹性织物上制作出了大尺寸、高机械强度的交流电致发光器件(ACEL),并验证了大尺寸ACEL器件在织物上卷对卷制备的可行性。在织物上制备ACEL器件的工艺流程包括:(1)织物表面平整化,在织物表面热压一层热塑性聚氨酯弹性体橡胶(TPU)薄膜来使织物表面更光滑,从而使后续印刷的膜层有更好的均匀性;(2)丝网印刷底电极,将图形化弹性导电银浆丝网印刷在平整化后的织物上,标记为1号和2号电极,1号电极与底电极相连,2号电极与随后喷印的透明顶电极相连.

摘要： 碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性和抗辐射等突出的特性与优势,决定了其在高功率器件、高频器件、高光效发光器件等领域的应用极为广泛。碳化硅单晶在低压/高频、中电压和高压/高频多个领域具有完全替代硅材料的优势。受各种因素影响,国内碳化硅单晶品质和产能远不能满足产业需求。

摘要： 氮化物和氧化物半导体材料及相关器件是目前国际上化合物半导体领域最活跃的研究方向。近期氮化物半导体材料的一个热点研究方向就是高In组份的GaInN材料和相关器件研究;用MBE方法生长了InN纳米材料和薄膜材料,并制备了电致发光器件,器件电致发光峰值在1.57微米左右,进一步证实了InN材料是一个窄带隙材料。近期氧化物半导体材料的一个热点和难点研究方向就是ZnO材料的p型掺杂和其紫外激光器件研究；用MOCVD方法在n-GaN上制备了p-ZnO纳米薄膜材料,并实现了ZnO材料的电泵浦带边紫外激射,激射波长在380纳米左右。

摘要： 锗与硅材料一样,也是间接带隙半导体,体锗材料仍然不能作为好的发光材料使用.而在量子结构中的量子限制效应可以有效展宽电子和空穴的波函数,显著增加电子和空穴的复合发光几率.锗自组装量子点通过MBE(分子束外延）技术在硅衬底上生长得到,图1为通过MBE得到的锗自组装量子点的AFM(原子力显微镜）照片.锗自组装量子点材料发光处在1.3～1.6μm的波长范围内，这个波段正好是在光纤通信系统中使用的波段，同时硅材料对上述波段透明，为将来基于硅基片上大规模光电混合集成提供了可能。本文将介绍在硅平衬底以及硅图形衬底上外延生长锗自组装量子点材料，以及进一步将锗量子点与多种光学微腔结合起来实现发光增强的研究进展。

摘要： 相比有机小分子电致发光器件，聚合物电致发光器件(WPLEDs)克服了其易结晶、成膜性差以及器件寿命短的问题，将在全彩显示和下一代固态照明领域应用前景广阔。为了解决相分离导致白光器件效率下降问题，研究者们将带有不同发色团的发光材料通过化学方法引入到同一种聚合物中形成单一发白光的聚合物，并得到了高效的电致白光发射。本文通过设计将发橙光的对甲氧基苯基马来酞亚胺荧光团(BM)引入到发蓝光的聚药(PF)侧链中，通过Suzuki偶联反应合成了侧链含有马来酞亚胺基团的聚合物(PF-BM)，通过调节马来酞亚胺发光基团与聚芴的比例，控制蓝光向橙光能量转移程度，以实现白光发射。并用IR,1HNMR,13CNMR,GPC对聚合物结构进行鉴定，用TGA,PL对聚合物的热稳定性和光物理性能进行表征。

摘要： 以POSS修饰量子点为原料，通过溶液共混法制备了高效发光的量子点/PVB复合材料。复合薄膜表面光滑平整，具有优异的荧光特性。AFM表明POSS有效地稳定了量子点，改善了量子点与PVB基体的相容性，实现了量子点在PVB基体中的均匀分散。PL表明量子点/PVB复合材料是一种优良的发光材料，在发光器件领域具有广阔的应用前景。

摘要： 本论文以德国欧司朗公司的单色OLED显示模块为研究对象,利用OLED的控制驱动电路SSD1305和单片机AT89C4051成功地驱动了该显示屏,为OLED的实际应用提供了一种可行的方法.论文中详细地介绍了测试过程所必须的OLED显示屏的驱动电路的开发设计过程.本系统以AT89C4051单片机为核心，控制SSD1305芯片使显示屏产生不同的显示效果。其中电源模块通过稳压芯片7812, 7805, LM317分别得到稳定的12V, SV, 3.3V的电压，分别提供给单片机和显示屏，使它们能正常工作。单片机AT89C4051主要实现对显示屏的显示控制，通过程序，让显示屏显示实验所需要的效果。

摘要： 硅基Ge材料是一种重要的硅基异质结构材料，它既是硅基高迁移率材料，同时也是重要的硅基光子学器件用材料，在硅基光电集成中具有重要的应用前景。本文将介绍硅基Ge材料的外延生长，讨论它的可能应用，重点介绍它在硅基高效发光器件、硅基高速低功耗光调制器、硅基高速长波长光电探测器等方面的应用研究进展。

摘要： 稀土氧化物是一类性能优秀的材料,被广泛用于高性能发光器件,催化,磁性及其他功能材料领域.一般地,稀土氧化物的物理化学性能与稀土原子所处的价态及其结构有关,因此,制备出不同形貌的、结构均一的稀土氧化物材料,如颗粒状,管状,棒状以及片状等无疑将会大大提高材料的整体性能.到目前为止,科学工作者们已经通过多种方法制备出很多不同形貌的稀土氧化物片状材料.本文通过电化学的方法成功制备了Eu2O3微米片,并对其的成分进行了测试.

摘要： 传统的薄膜晶体管液晶显示器作为一种被动发光器件,本身不会发光,必须依靠背光源提供照明.在背光照明用到的光源中,LED最具竞争力.在分析LED性能的基础上,设计了一种用于大尺寸直下式背光源的LED,新设计的LED结构简单,性能优良.通过设计26英寸背光源验证了新的LED.模拟结果表明,新的LED可以满足大尺寸LCD背光源对亮度均匀性和颜色均匀性的要求.

摘要： 本文从硅基微电子技术和光电子技术相结合和集成电路光互联需要出发,指出与CMOs工艺完全兼容硅基发光研究的重要意义。并在充分分析此研究领域的特点和分类的基础上,提出该研究领域的几个重点研究方向。

摘要： 本文从硅基微电子技术和光电子技术相结合和集成电路光互联需要出发,指出与CMOs工艺完全兼容硅基发光研究的重要意义。并在充分分析此研究领域的特点和分类的基础上,提出该研究领域的几个重点研究方向。

摘要： 本发明公开了一种由特定结构的不对称蒽衍生物组成的有机电致发光(EL)器件用材料。本发明还公开了有机EL器件用材料和有机EL器件，其中阴极和阳极之间夹有包括至少一层发光层的由单层或多层组成的有机薄膜层。至少一层有机薄膜层包含单一组分或混合组分形式的有机EL器件用材料。因此，所述有机EL器件效率高且 使用寿命长。本发明还公开了制备这种有机EL器件的有机EL器件用发光材料和有机EL器件用材料。

摘要： 根据实施例的发光器件包括：衬底；第一发光单元至第M发光单元，布置在所述衬底上，彼此间隔开(其中M是2或大于2的正整数)；第一至第M‑1互连线，配置为将所述第一发光单元至第M发光单元串联连接；其中第m(其中1≤m≤M)发光单元包括顺序布置在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；其中第n(其中1≤n≤M‑1)互连线将第n发光单元的第一导电类型半导体层连接到第n+1发光单元的第二导电类型半导体层，第n互连线包括彼此间隔开的多个第一分支线。

摘要： 本发明涉及蒽衍生物和发光材料，发光元件，发光器件及使用发光器件的电子器件。公开新颖的蒽衍生物，能以高色纯度发射蓝光的新颖材料，以及使用这种新颖材料的发光元件、发光器件和电子器件。提供通式(1)表示的蒽衍生物。因具有该蒽衍生物，可提供具有高发射效率的发光元件。因具有该蒽衍生物，可提供能发射高色纯度蓝光的发光元件。

摘要： 本发明涉及蒽衍生物和发光材料，发光元件，发光器件及使用发光器件的电子器件。公开新颖的蒽衍生物，能以高色纯度发射蓝光的新颖材料，以及使用这种新颖材料的发光元件、发光器件和电子器件。提供通式(1)表示的蒽衍生物。因具有该蒽衍生物，可提供具有高发射效率的发光元件。因具有该蒽衍生物，可提供能发射高色纯度蓝光的发光元件。

摘要： 公开新颖的蒽衍生物，能以高色纯度发射蓝光的新颖材料，以及使用这种新颖材料的发光元件、发光器件和电子器件。提供通式(1)表示的蒽衍生物。因具有该蒽衍生物，可提供具有高发射效率的发光元件。因具有该蒽衍生物，可提供能发射高色纯度蓝光的发光元件。该通式中，A1表示取代或未取代的苯基，B1表示任何具有1-4个碳原子的烷基或者取代或未取代的苯基，α表示任何取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯-4，4’-二基，R1至R9独立地表示氢、具有1-4个碳原子的烷基或者取代或未取代的苯基中的任何一个。

摘要： 根据实施例的发光器件包括：衬底；第一发光单元至第M发光单元，布置在所述衬底上，彼此间隔开(其中M是2或大于2的正整数)；第一至第M‑1互连线，配置为将所述第一发光单元至第M发光单元串联连接；其中第m(其中1≤m≤M)发光单元包括顺序布置在所述衬底上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；其中第n(其中1≤n≤M‑1)互连线将第n发光单元的第一导电类型半导体层连接到第n+1发光单元的第二导电类型半导体层，第n互连线包括彼此间隔开的多个第一分支线。

摘要： 提供了一种倒装芯片型半导体发光器件以及用于所述倒装芯片型半导体发光器件的印刷电路板，所述倒装芯片型半导体发光器件具有电极面积相似的正电极和负电极，并在制造发光二极管灯时能够利用自对准效果来防止所述发光器件的错位。此外，采用倒装芯片型半导体发光器件1，其具有形成在半导体层的透明衬底侧的对侧上的负电极衬垫和正电极衬垫，其中以彼此相同的形状形成每一个所述电极衬垫，并且用于所述发光器件的印刷电路板具有以彼此相同的形状形成的成对的电极图形。此外，在每一个所述电极衬垫中包括焊接膜。

摘要： 本发明涉及蒽衍生物和发光材料，发光元件，发光器件及使用发光器件的电子器件。公开新颖的蒽衍生物，能以高色纯度发射蓝光的新颖材料，以及使用这种新颖材料的发光元件、发光器件和电子器件。提供通式(1)表示的蒽衍生物。因具有该蒽衍生物，可提供具有高发射效率的发光元件。因具有该蒽衍生物，可提供能发射高色纯度蓝光的发光元件。

摘要： 本发明涉及蒽衍生物和发光材料，发光元件，发光器件及使用发光器件的电子器件。公开新颖的蒽衍生物，能以高色纯度发射蓝光的新颖材料，以及使用这种新颖材料的发光元件、发光器件和电子器件。提供通式(1)表示的蒽衍生物。因具有该蒽衍生物，可提供具有高发射效率的发光元件。因具有该蒽衍生物，可提供能发射高色纯度蓝光的发光元件。

摘要： 公开新颖的蒽衍生物，能以高色纯度发射蓝光的新颖材料，以及使用这种新颖材料的发光元件、发光器件和电子器件。提供通式(1)表示的蒽衍生物。因具有该蒽衍生物，可提供具有高发射效率的发光元件。因具有该蒽衍生物，可提供能发射高色纯度蓝光的发光元件。该通式中，A1表示取代或未取代的苯基，B1表示任何具有1-4个碳原子的烷基或者取代或未取代的苯基，α表示任何取代或未取代的亚苯基或者取代或未取代的联苯-4，4’-二基，R1至R9独立地表示氢、具有1-4个碳原子的烷基或者取代或未取代的苯基中的任何一个。