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Erratum: Study of GaN thin layers subjected to high-temperature rapid thermal annealing Semiconductors 32, 1048–1053 (October 1998)

机译：错误：对高温快速热退火的GaN薄层研究半导体32,1048-1053（1998年10月）

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N. I. Katsavets; G. M. Laws; I. Harrison; E. C. Larkins; T. M. Benson; T. S. Cheng; C. T. Foxon;
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年度 1999
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