机译:在90 nm CMOS中具有位交错和差分读取方案的32 kb 10T次阈值SRAM阵列
Low voltage SRAM design; robust subthreshold operation of SRAM; voltage scaling in SRAM;
机译:低功耗近阈值10T SRAM位单元,具有增强的与数据无关的读取端口泄漏功能,用于32nm CMOS阵列增强
机译:90 nm 32 $ times $ 32位隧道SRAM存储器阵列,写入访问时间为0.5 ns,读取访问时间为1 ns,工作电压为0.5 V
机译:在65 nm CMOS中采用位交错方案的9T亚阈值SRAM的设计和等值面积$ V_ {min} $分析
机译:具有90nm CMOS中的32KB 10T亚阈值SRAM阵列,位交错和差分读取方案
机译:具有45nm CMOS SOI技术的具有32:1串行器的2位1Gsps ADC阵列
机译:完全集成的CMOS微系统用于以每秒90帧的速度在32×32工作电极上进行电化学测量
机译:具有比特交织和差分读取的32 kb 10T次阈值sram阵列 90 nm CMOS中的方案