机译:基于金纳米团簇和肖特基接触的低温氢传感器,该脉冲在Si和$ {hbox {SiO}} _ {2} $衬底上通过脉冲激光沉积沉积在ZnO膜上
II-VI semiconductors; Schottky barriers; Schottky diodes; elemental semiconductors; gas sensors; gold; hydrogen; laser deposition; semiconductor thin films; silicon; silicon compounds; wide band gap semiconductors; zinc compounds; 150 C; Au; H2; Schottky cont;
机译:基于金纳米团簇和肖特基接触的低温氢传感器,该脉冲在Si和$ {hbox {SiO}} _ {2} $衬底上通过脉冲激光沉积沉积在ZnO膜上
机译:在Si(100)衬底上通过脉冲激光沉积生长的未掺杂和Ni掺杂的p-ZnO薄膜上的Cr肖特基接触的电特性
机译:衬底温度和激光注量对脉冲激光沉积ZnO薄膜性能的影响
机译:硅衬底上通过脉冲激光沉积(PLD)生长的Cr / p-ZnO肖特基接触的电学表征
机译:通过脉冲激光沉积开发基于ZnO的薄膜晶体管和掺磷的ZnO和(Zn,Mg)O。
机译:在钠钙玻璃基板上通过脉冲激光沉积生长的ZnO膜,用于表皮葡萄球菌生物膜的紫外线灭活
机译:在不同基板温度下脉冲激光沉积制备siO / u3c / u3c / sub \ u3e纳米结构薄膜的光学性质