首页> 中国专利> 在{20-21}含镓和氮的衬底上的低压激光二极管

在{20-21}含镓和氮的衬底上的低压激光二极管

页面导航

摘要

一种低压激光器件，所述低压激光器件具有为一种或多种选择波长的光发射而构造的有源区域。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-05-11

授权

授权
2014-06-18

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/15 变更前: 变更后: 登记生效日:20140522 申请日:20100916

专利申请权、专利权的转移
2013-03-06

著录事项变更 IPC(主分类):H01L 29/15 变更前: 变更后: 申请日:20100916

著录事项变更
2013-01-16

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/15 申请日:20100916

实质审查的生效
2012-11-21

公开

公开

1. 在{20-21}含镓和氮的衬底上的低压激光二极管 [P] . 中国专利： CN102792447B . 2016.05.11
2. 在图形化氮化镓单晶衬底上制备氮化镓发光二极管的方法 [P] . 中国专利： CN106067492B . 2018.06.19
3. Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates [P] . 美国专利： US10424900B2 . 2019-09-24

机译： {20-21}含镓和氮的衬底上的低压激光二极管
4. Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates [P] . 美国专利： US10090644B2 . 2018-10-02

机译： {20-21}含镓和氮的衬底上的低压激光二极管
5. Low voltage laser diodes on {20-21} gallium and nitrogen containing substrates [P] . 美国专利： US9853420B2 . 2017-12-26

机译： {20-21}含镓和氮的衬底上的低压激光二极管