机译:衬底温度对MeV硼注入隔离n型GaAs层的影响
机译:质子注入用于隔离不同衬底温度下的n型GaAs层
机译:使用MeV铁注入在不同剂量和衬底温度下对n型InP进行电隔离
机译:注入隔离n型GaAs层的退火特性:离子种类和注入温度的影响
机译:通过各种离子物种的MeV / MeV注入实现n型GaAs器件的电隔离
机译:通过金属蒸气真空电弧(MEVVA)离子注入锗制造的磁性层的特性。
机译:在n型GaAs(111)B衬底上生长的p掺杂GaAs纳米线阵列的光伏性能
机译:铁辐射对n型InP和InGaAs的植入物隔离:植入后退火温度的影响
机译:低剂量n型离子注入Cr掺杂Gaas衬底。