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谭俊; 蔡志海; 张平;
装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室,北京,100072;
立方氮化硼薄膜; 高速钢基体; 离子注入; 射频磁控溅射;
机译:立方氮化硼薄膜生长过程中sp〜2-氮化硼过渡层的迁移
机译:沉积温度对不平衡磁控溅射纳米晶金刚石缓冲层沉积立方氮化硼薄膜的影响
机译:金刚石膜作为缓冲层对化学气相沉积形成立方氮化硼膜的影响
机译:氮注入对硼和氮化硼涂层化学键合和硬度的影响
机译:六方氮化硼/石墨烯异质结构,六方氮化硼层和立方氮化硼纳米点的分子束外延生长
机译:六方氮化硼的共溶剂剥落:原始散装氮化硼尺寸和共溶剂组成的影响
机译:立方氮化硼薄膜生长过程中去除sp2-氮化硼过渡层
机译:氮注入对硼和211氮化硼涂层的化学键和硬度的影响
机译:粘结立方氮化硼层的生产,特别是用于铁合金加工工具或光学组件的立方氮化硼层的生产,包括首先通过脉冲激光沉积来沉积促进粘合力的氮化硼层
机译:表面涂层立方氮化硼基本的超高强度烧结材料使切削工具成为零氮化硼,而氮化硼则表现出在高硬度钢硬地毯层中明显优于后者的抗碎裂特性。
机译:氮化硼层,包括相同的装置,以及制造氮化硼层的方法
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