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氮化硼层、包括其的装置以及制造氮化硼层的方法

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摘要

提供氮化硼层、包括其的装置及制造氮化硼层的方法。所述氮化硼层包括氮化硼化合物并且在100kHz的工作频率下具有约2.5或更小的介电常数。

公开/公告号CN112750685A

专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04

原文格式PDF
申请/专利权人三星电子株式会社;蔚山科学技术院;
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申请/专利号CN202011180671.2
发明设计人李昌锡;申铉石;申铉振;洪锡模;李珉贤;南胜杰;马庆烈;
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申请日2020-10-29
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/768(20060101);H01L27/11556(20170101);H01L27/12(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/78(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构11105 北京市柳沈律师事务所;
代理人金拟粲
地址韩国京畿道
入库时间 2023-06-19 10:51:07

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2022-11-15

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 专利申请号:2020111806712 申请日:20201029

实质审查的生效

1. 氮化硼层、包括其的装置以及制造氮化硼层的方法 [P] . 中国专利： CN112750685A . 2021-05-04
2. 具有氮化硼合金电子阻挡层的光电器件及制造方法 [P] . 中国专利： CN111201616A . 2020-05-26
3. BORON NITRIDE LAYER, APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THE BORON NITRIDE LAYER [P] . EP3817031A1 . 2021-05-05

机译：氮化硼层，包括相同的装置，以及制造氮化硼层的方法
4. BORON NITRIDE LAYER, APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF FABRICATING THE BORON NITRIDE LAYER [P] . US2021123161A1 . 2021-04-29

机译：氮化硼层，包括相同的装置，以及制造氮化硼层的方法
5. BORON-CONTAINING LAYER SYSTEM COMPRISING A BORON CARBIDE LAYER, A B-C-N LAYER, AND A CARBON-MODIFIED HEXAHEDRAL BORON NITRIDE LAYER, AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF SUCH A LAYER SYSTEM [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1773734A1 . 2007-04-18

机译：包含碳化硼层，B-C-N层和碳改性的六面体氮化硼层的含硼层系统及其制造方法