ARE法沉积的立方氮化硼薄膜生长过程的研究

摘要

采用逆序法研究了通过活性反应离子镀技术沉积在单晶硅 (10 0 )上的c BN膜生长过程。在X射线光电子能谱分析仪上 ,用氩离子剥离c BN膜并进行膜的成分的深度分布及不同刻蚀深度处膜的价态分析 ,用富立叶变换红外透射谱分析不同刻蚀深度处的膜的相结构。结果表明 :在此生长条件下 ,c BN不能在基底上直接成核 ,而是先在基底上形成一层h BN ,然后c BN在其上生长。对这种生长顺序 ,引用c