机译:(NH_4)_2S_x处理引起的Si掺杂n型GaN中施主活化能和载流子浓度的变化
Institute of Photonics, National Changhua University of Education, Changhua 500, Taiwan, Republic of China;
机译:(NH_4)_2S_x处理导致n型GaN的光电性能和表面复合速度的变化
机译:等离子体辅助MBE在Si(111)上生长的n型GaN外延层中,施主活化能对载流子浓度的依赖性
机译:金属有机化学气相沉积法生长n型GaSb:两带传导对载流子浓度和施主活化的影响
机译:GaN和Inn使用的表面处理(NH_4)_2S_X
机译:根据霍尔测量数据确定杂质浓度和活化能。
机译:InGaN / GaN多量子阱LED纳米线中的载流子局部化效应:发光量子效率的提高和负热活化能
机译:附录:'''载波浓度和激活能量在重掺杂的硅'J.苹果。物理。 61,591(1987)
机译:N型块体6H siC中残留供体EsR谱的温度和浓度依赖性研究