Electron spin resonance; Bulk materials; Silicon carbides; Magnetic properties; Nitrogen; Physics; Electron donors; N type semiconductors; Concentration(Chemistry); Ukraine;
机译:温度和注入水平的依赖性以及热氧化对p型和n型4H-SiC外延层中载流子寿命的影响
机译:在不同温度下6H-SiC上的空气退火钌薄膜结构和电性能的研究
机译:能量范围为3-8 eV的块状3C和6H SiC随温度变化的介电函数的第一性原理分子动力学研究
机译:N型散装6H和4H-SIC霍尔迁移率的实验与理论分析
机译:在不同浓度和温度下氨和水的溶液的折射率的调查
机译:4H-SiC衬底上4H-SiC圆形膜的杨氏模量和残余应力的研究
机译:在散装GaN和间隙中电子移动性的温度,受体浓度和供体浓度依赖性