机译:使用多层3D MMIC技术的基于GaAs的预制和后置pHEMT的器件注意事项和表征
Univ Chittagong, Appl Phys Elect & Commun Engn, Chittagong, Bangladesh;
Univ Informat Technol & Commun, Baghdad, Iraq;
Univ Manchester, Microwave & Commun Syst Res Grp, Manchester M13 9PL, Lancs, England|Univ Kuala Lumpur, Malaysian Inst Marine Engn Technol, Marine Elect & Elect Engn Technol Sect, Lumut, Perak, Malaysia;
Univ Manchester, Microwave & Commun Syst Res Grp, Manchester M13 9PL, Lancs, England;
Univ Manchester, Microwave & Commun Syst Res Grp, Manchester M13 9PL, Lancs, England;
AlGaAs/InGaAs/GaAs pHEMTs; 3D MMICs; multilayer fabrication; characterisation; performance comparison;
机译:3D MMIC多层制造前后pHEMT小信号参数的均匀性研究
机译:PREMTS在3D MMIC中PREMTS多层制造的PHEMTS小信号参数的均匀性研究
机译:3-D MMIC中pHEMT在多层制造前后的均匀性研究
机译:多层3D MMIC技术中AlGaAs / InGaAs pHEMT的温度相关小信号模型参数分析
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于自顶向下的GaAs量子纳米磁盘的发光器件
机译:Company MMIC开关的设计与分析利用3D多层技术的GaAs Phemts