机译:位错密度非常低的大型GaAs和InP块状晶体中位错的类型和起源
Crystal Growth Laboratory, Department of Materials Science (WW6), University Erlangen-Nuernberg, Martensstr. 7, 91058 Erlangen, Germany;
direct observation of dislocations and other defects (etch pits, decoration, electron microscopy, X-ray topography, etc.); linear defects: dislocations, disclinations; Ⅲ-Ⅴ semiconductors; growth from melts; zone melting and refining;
机译:块状单晶生长过程中位错密度的有限元分析(InP单晶中掺杂原子的影响)
机译:极低位错密度(EPD 1000 cm〜-2)的GaAs的VGF生长区中的残留位错类型分析
机译:GaAs块状单晶生长过程中的位错密度分析(晶体各向异性的影响)
机译:VGF生长InP块状晶体:位错密度和数值应力分析的比较研究
机译:镉单晶中位错速度和移动位错密度的测量与应变和应变率的关系。
机译:p型硅晶体在塑性变形和高温退火下的位错发光中心的起源及其重组
机译:低位错密度GaAs和InP衬底的EPD测量
机译:X射线双晶衍射仪测定应力腐蚀开裂中表层和体积的过量位错密度。