机译:极低位错密度(EPD 1000 cm〜-2)的GaAs的VGF生长区中的残留位错类型分析
机译:位错密度非常低的大型GaAs和InP块状晶体中位错的类型和起源
机译:GaAs衬底上变质InP / InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)结构中与位错相关的吸杂的实验证据
机译:在GaAs衬底上生长的高速(207 GHz f / spl T /),低热阻,高电流密度变质InP / InGaAs / InP DHBT
机译:低碳钢线材和线材的位错密度的定量测量。
机译:通过采用光学光谱分程利用基于INP的量子级联激光器的InGaAs层的非接触式测量
机译:通过超薄GaAs中间层实现的低密度1.55μmInAs / InGaAsP / InP(100)量子点
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。