机译:分析缓冲陷阱对AlGaN / GaN HEMT中栅极滞后,漏极滞后和电流崩溃的影响
Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology, 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, Japan;
Faculty of Systems Engineering, Shibaura Institute of Technology, 307 Fukasaku, Minuma-ku, Saitama 337-8570, Japan;
Ⅲ-Ⅴ semiconductor-to-semiconductor contacts; p-n junctions; and heterojunctions; semiconductor-device characterization; design; and modeling; field effect devices;
机译:分析场板对GaN MESFET和AlGaN / GaN HEMT中与缓冲器相关的滞后现象和电流崩溃的影响
机译:(GaN)/ InAlN / GaN和InAlN / AlN / GaN HEMT中的栅极滞后效应和漏极滞后效应
机译:具有不同类型缓冲层的场板AlGaN / GaN HEMT中滞后现象和电流崩塌的相似性
机译:AIGAN / GAN HEMTS在闸门滞后,排水滞后和电流塌陷的缓冲捕获效果分析
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:二维电子气上的供体样表面陷阱以及AlGaN / GaN HEMT的电流崩塌
机译:源极访问电阻对AlGaN / GaN HEMT中栅极滞后和电流塌陷行为的影响
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制