具有片上集成光子源或光子欧姆漏极以促进被俘获于晶体管的深陷阱中的电子脱陷的晶体管

摘要

本申请提供了一种利用来自片上光子源的光子对GaN电子器件中的深陷阱进行抽吸的技术。在各个实施例中，利用配置为在高电子迁移率晶体管操作期间产生光子的片上集成光子源来提供对GaN高电子迁移率晶体管中的深陷阱进行光学抽吸的方法。在一个方面中，片上光子源为SoH‑LED。在各个附加的实施例中，提供了将光子源集成在高电子迁移率晶体管的漏电极中的集成方案，从而将具有欧姆漏极的常规高电子迁移率晶体管转化为具有混合光子欧姆漏极(POD)的晶体管、简称为POD晶体管或PODFET。