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公开/公告号CN107004705A
专利类型发明专利
公开/公告日2017-08-01
原文格式PDF
申请/专利权人 香港科技大学;
申请/专利号CN201580061572.3
发明设计人 陈敬;李百奎;唐曦;
申请日2015-11-13
分类号H01L29/778(20060101);H01L27/15(20060101);
代理机构11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司;
代理人顾丽波;李荣胜
地址 中国香港九龙清水湾
入库时间 2023-06-19 02:55:17
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/778 申请日:20151113
实质审查的生效
2017-08-01
公开
机译: 具有片上集成光子源或光子欧姆漏极的晶体管,以促进将陷于晶体管深阱中的电子去陷获
机译: 晶体管具有片上集成的光子源或光子欧姆流失,以帮助深陷于晶体管陷阱中的去电子
机译:高温下具有光子欧姆漏极的AIGaN / GaN场效应晶体管的光子发射和电流塌陷抑制
机译:在静态正栅极偏置应力下的单极脉冲漏极偏置下,非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管中电荷陷阱的增加和电子俘获效应的抑制引起的严重驼峰现象
机译:使用恒定漏极电流深电平瞬态光谱法直接比较InAIN / GaN和AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的陷阱
机译:集成光子欧姆漏极对GaN-on-Si异质结功率晶体管的静态和动态特性的影响
机译:栅极长度与漏极-源极距离之比对AlGaN / AlN / GaN异质结构场效应晶体管中电子迁移率的影响
机译:缩回:“非对称源/漏极中的功能特性/漏极中inalassb / Ingaas / InPΔ掺杂的高电子移动晶体管”Appl。物理。吧。 86,033505(2005)