ULSI製造におけるウェハ表面汚染の解析と清浄化技術に関する研究

摘要

For contamination control in ULSI manufacturing process, we have studied the analytical methods for metallic impurities on silicon wafer surfaces by chemical analysis or using TXRF (total reflection X-ray fluorescence analysis). And we have evaluated the behaviors and the electrical properties of contamination such as metallic impurities or airborne molecules of organics and so on. We have also studied the diffusion behaviors of impurity metals in Si crystal by employing both experimental and theoretical approaches. Using these results, we finally proposed the suitable protocol of contamination control for the future ULSI manufacturing process.%ULSI（Ultra Large Scale Integration）製造プロセス における清浄化技術の体系化を検討すべく，ウェハ 表面汚染の解析及び清浄化技術に関する研究を行 った。本論文は，ULSI製造プロセスにおける1）シリ コンウエハ表面汚染の高精度な分析技術の確立， 2）不純物汚染の挙動及びデバイス特性への影響の 明確化，3）汚染制御技術の高精度化，4）今後のULSIデバイス製造における汚染制御指針の提示と 課題の明確化の4つに関する研究成果をまとめたも のである。