机译:使用浮栅AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管在生理缓冲液中直接进行无排斥标记的免疫排斥检测生物排斥蛋白生物标记。
Department of Electrical Engineering and Computer Science, The University of Tennessee, Knoxville, TN, USA|c|;
AlGaN HEMT; immunoFET; interferon gamma; label-free; monokine; self-assembled monolayer (SAM);
机译:考虑缓冲受体陷阱的P-GaN门AlGaN / GaN高电子移动晶体管栅极控制能力的分析模型
机译:非电离的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管对固定化蛋白质的电检测
机译:C-和Fe-掺杂GaN缓冲器对使用侧栅调制的GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管性能的影响
机译:Si上初始AlN成核层顶部的AlGaN缓冲层的Al含量与AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构的垂直泄漏电流之间的关系
机译:电和热感应物理缺陷对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的可靠性的影响。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管,具有多Mgxny / GaN缓冲液