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【2h】

AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Multi-MgxNy/GaN Buffer

机译：AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管，具有多Mgxny / GaN缓冲液

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作者
P. C. Chang; K. H. Lee; Z. H. Wang; S. J. Chang;
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年度 2014
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1. AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors with Multi-MgxNy/GaN Buffer [J] . P. C.Chang, K. H.Lee, Z. H.Wang, Journal of nanomaterials . 2014,第1期

机译：具有MgxNy / GaN缓冲层的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
2. Effect of C- and Fe-doped GaN buffer on AlGaN/GaN high electron mobility transistor performance on GaN substrate using side-gate modulation [J] . Villamin Maria Emma, Kondo Takaaki, Iwata Naotaka Japanese journal of applied physics . 2021,第SB期

机译：C-和Fe-掺杂GaN缓冲器对使用侧栅调制的GaN衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管性能的影响
3. Hot-Electron Degradation of AlGaN/GaN High-Electron Mobility Transistors During RF Operation: Correlation With GaN Buffer Design [J] . Bisi Davide, Chini Alessandro, Soci Fabio, Electron Device Letters, IEEE . 2015,第10期

机译：射频工作期间AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热电子降解：与GaN缓冲设计的关系
4. Study of the effects of GaN buffer layer quality on the dc characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors [C] . Shihyun Ahn, Weidi Zhu, Chen Dong, State-of-the-art program on compound semiconductors 58 . 2015

机译：GaN缓冲层质量对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的dc特性的影响的研究
5. The Effects of Thermal, Strain, and Neutron Irradiation on Defect Formation in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors and GaN Schottky Diodes [D] . Lin, Chung-Han 2013

机译：热，应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
6. Investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistor structures on 200-mm silicon (111) substrates employing different buffer layer configurations [O] . H.-P. Lee, J. Perozek, L. D. Rosario, -1

机译：使用不同缓冲层配置的200mm硅（111）衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
7. Impact of buffer layers on thermal properties of AlGaN/GaN-on-SiC high electron mobility transistors (HEMTs) [O] . Power Maire, Pomeroy James, Anaya Calvo Julian, 2014

机译：缓冲层对AlGaN / SiC上的GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的热性能的影响
8. Contactless Mobility, Carrier Density, and Sheet Resistance Measurements on Si, GaN, and AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) Wafers. [R] . Tompkins, R. P., Nguyen, D. 2015

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