机译:利用场板边缘端接提高Ni-SiC肖特基二极管的击穿电压
Christian-Doppler-Laboratory for TCAD in Microelectronics at the Institute for Microelectronics;
机译:用于优化SiC肖特基势垒二极管击穿电压特性的边缘终端场板氧化物刻蚀角的研究
机译:用于优化SiC肖特基势垒二极管击穿电压特性的边缘终端场板氧化物刻蚀角的研究
机译:具有场板边缘端接的高压基于AlGaN / GaN的肖特基二极管的仿真和制造
机译:2.3 kV场垂直Ga
机译:高温扩散技术的发展,用于改善碳化硅p-i-n二极管的边缘端接和开关性能。
机译:具有氩注入边缘端接的高压β-Ga2O3肖特基二极管
机译:采用金属场板终端的高压Ni和pt-siC肖特基二极管