University of South Carolina.;
机译:碳化硅碳化硅和氧化硅涂层高温氧化行为,提高其对高温氧化的抗性
机译:通过硼扩散的局部寿命控制来改善4H-SiC功率p-i-n二极管的开关性能
机译:快速切换4H-SiC P-I-N结构,由Al的低温扩散制造
机译:基于Vee-Square控制的极端温度开关模式电源使用碳化硅,Silicon在蓝宝石,混合技术
机译:功率碳化硅器件中的边缘端接和RESURF技术。
机译:用于CMOS光子的集成非晶硅p-i-n温度传感器
机译:快速切换4H-SiC P-I-N结构,由Al的低温扩散制造
机译:采用碳化硅栅极关断晶闸管和p-i-n二极管的高温400 W直流 - 交流逆变器