公开/公告号CN101621062B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-09-19
原文格式PDF
申请/专利权人 万国半导体股份有限公司;
申请/专利号CN200910149899.2
申请日2009-06-26
分类号H01L27/06(20060101);H01L29/872(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/36(20060101);H01L29/417(20060101);H01L21/8249(20060101);
代理机构31213 上海新天专利代理有限公司;
代理人张静洁;王敏杰
地址 美国百慕大哈密尔敦丘奇街22号克拉伦登宅
入库时间 2022-08-23 09:11:37
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-09-19
授权
授权
2010-04-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/06 申请日:20090626
实质审查的生效
2010-01-06
公开
公开
机译: 提高肖特基击穿电压(BV)而不影响集成的MOSFET-肖特基器件布局
机译: 提高肖特基击穿电压(BV)而不影响集成的MOSFET-肖特基器件布局
机译: 提高肖特基击穿电压(BV)而不影响集成的MOSFET-肖特基器件布局