机译:电镀铜厚度对铜CMP和Cu / Coral™BEOL集成的影响
SPT-MF, Institute of Microelectronics, 11 Science Park Road, Singapore 117685, Singapore;
electroplated copper; copper CMP;
机译:BEOL处理:铜电镀,CMP挑战在65纳米节点及以后变得更加复杂
机译:根据Ni:Cr比和Cu电镀层厚度的关系,Cu / Ni-Cr /聚酰亚胺柔性覆铜箔层压板的粘合特性
机译:集成气体簇工艺以实现铜互连的可靠性和对BEOL介电材料的工艺影响评估
机译:电镀铜厚度对铜CMP和CU / LOW-K BEOL集成的影响
机译:拉曼光谱在铜CMP和BEOL清洁化学中的应用。
机译:Diaqua的晶体结构(314-二乙基-261317-四氮酸酐16.4.0.0712二甲磺酸)铜(II)(314-二乙基-261317-四氮酸酐十二糖果烷烃)铜(II)四溴化铜二水合物Cu(C22H44N4)(H 2 O)2 Cu(C22H44N4) Br4·2H2O
机译:拉曼光谱在Cu-CMP和BEOL清洁化学中的应用