机译:基于量子点的室温单电子晶体管制造的分步和快速压印光刻
Multi Scale Technologies Institute, Michigan Technological University, 1400 Townsend Drive, Houghton, MI 49931, USA;
Multi Scale Technologies Institute, Michigan Technological University, 1400 Townsend Drive, Houghton, MI 49931, USA;
Microelectronics Research Center, Pickle Research Campus, University of Texas, Austin, Tx 78758, USA;
Multi Scale Technologies Institute, Michigan Technological University, 1400 Townsend Drive, Houghton, MI 49931, USA;
room temperature single electron transistors; focused ion beam; step and flash imprint lithography; nanoimprint; nanowire;
机译:室温下具有大库仑势垒振荡的锗量子点单电子晶体管的制造
机译:使用步进闪光压印光刻技术制造基于声表面波的相关器
机译:高电子迁移晶体管制造中的T型栅极的单步电子束光刻归档
机译:使用步进和闪光印记光刻和剥离技术的室温单电子晶体管的批量生产
机译:超导单电子晶体管,用于基于Si / SiGe的量子点中的电荷感测。
机译:基于量子点的单电子晶体管的非线性效应和热电效率
机译:开发高产量制造技术用于单电子的石墨烯量子点晶体管应用
机译:采用软纳米压印光刻技术制备的超均匀位点控制量子点阵列