机译:使用侧壁间隔物图案和CMP工艺制造非对称独立双栅FinFET
Seoul Natl Univ, ISRC, Seoul 08826, South Korea;
Samsung Elect Co Ltd, Syst LSI, Semicond Business Grp, Yongin 17114, South Korea;
Seoul Natl Univ, ISRC, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, ISRC, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, ISRC, Seoul 08826, South Korea;
Seoul Natl Univ, ISRC, Seoul 08826, South Korea;
FinFET; Asymmetric independent dual-gate; Sidewall spacer patterning; Chemical-mechanical polishing (CMP) process; Multi-functional device;
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