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一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型

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摘要

本发明提供一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型，包括：通电沟道一侧设有的源极，所述通电沟道背离所述源极的一侧设有漏极，位于所述通电沟道的顶面设有上栅极，所述通电沟道的底面设有下栅极，其特征在于，该器件结构的电势分布模型解析式为：

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-14

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20130703 申请日:20120917

发明专利申请公布后的驳回
2013-07-31

实质审查的生效 IPC(主分类):G06F17/50 申请日:20120917

实质审查的生效
2013-07-03

公开

公开

1. 一种独立双栅FinFET解析沟道电势分布模型 [P] . 中国专利： CN103186691A . 2013-07-03
2. 在体硅上制备独立双栅FinFET的方法 [P] . 中国专利： CN102832133A . 2012-12-19
3. FinFET pMOS double gate semiconductor device with uniaxial tensile strain applied to channel by shrinkable gate electrode material, current flow in 110 crystal orientation, and source and drain Schottky contacts with channel and manufacturing method thereof [P] . 美国专利： US7755104B2 . 2010-07-13

机译： FinFET pMOS双栅半导体器件，具有通过可收缩的栅电极材料施加到沟道的单轴拉伸应变，<110>晶体取向的电流以及具有沟道的源极和漏极肖特基接触及其制造方法
4. Control process for photodetector, involves applying electric potential on gate electrode so that electric potential of transistors channel has value equal to maximum value of node potential multiplied by number greater than/equal to one [P] . 法国专利： FR2857158A1 . 2005-01-07

机译：光电探测器的控制过程包括在栅电极上施加电势，以使晶体管沟道的电势等于节点电势最大值乘以大于/等于1的数值。
5. Uniform channel thickness and strain channel FinFET with a separate gate [P] . 日本专利： JP4453967B2 . 2010-04-21

机译：具有独立栅极的均匀沟道厚度和应变沟道FinFET