机译:独立的双门鳍Fin SONOS闪存,采用侧壁间隔物图案制作
Sch. of Electr. Eng. & Comput. Sci., Seoul Nat. Univ., Seoul, South Korea;
electric properties; flash memories; logic gates; photolithography; electrical properties; fabrication processes; fin silicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor flash memories; independent double gates; sidewall gates; sidewall spacer patterning; Fin silicon–oxide–nitride–oxide–semiconductor (SONOS) Flash memory; interference coupling; paired cell interference (PCI); separated double gates;
机译:分离式双栅极结构的Fin SONOS闪存的制造与表征
机译:通过简单的侧壁间隔物形成的ω型门控多晶硅TFT SONOS存储器的场增强
机译:双门结构多位SONOS闪存的保留特性仿真
机译:体贴双栅极SONOS闪存(omega闪存)存储器件,基于块状Si晶圆构建
机译:用于太空和军事应用的SONOS非易失性半导体存储器(NVSM)器件的特性。
机译:SONOS闪存中氮化物内电荷迁移抑制的研究
机译:用TCAD仿真研究Fin型Sonos闪存的角效应