机译:使用碳硬掩模(CHM)作为掩模的CF_4蚀刻,对23 nm直径嵌段共聚物自组装纳米点的图案转移
School of Engineering, Gunma University 1-5-1 Tenjin-cho, Kiryu 376-8515, Japan;
School of Engineering, Gunma University 1-5-1 Tenjin-cho, Kiryu 376-8515, Japan;
Advanced Technology Research Center, Gunma University 1-5-1 Tenjin-cho, Kiryu 376-8515, Japan;
School of Engineering, Gunma University 1-5-1 Tenjin-cho, Kiryu 376-8515, Japan;
School of Engineering, Gunma University 1-5-1 Tenjin-cho, Kiryu 376-8515, Japan;
nano-patterning; self-assembly; nanodot; block copolymer; pattern-transfer;
机译:使用自组装PS-b-PAA Diblock共聚物掩模通过等离子刻蚀制造黑色硅的硅图案
机译:使用嵌段共聚物球形结构的硬掩模叠层硅模蚀刻,用于2.8Tbit / in。〜2的位图介质
机译:基于用于转移嵌段共聚物光刻图案的硬掩模的选择性原子层沉积的CMOS兼容策略
机译:使用CF_4蚀刻用碳硬掩模(CHM)作为掩模使用CF_4蚀刻23-nm直径嵌段共聚物自组装纳米块的图案转移
机译:混合聚合物掩模,可将纳米级图案转移到钛表面
机译:通过片上自组装多孔阳极氧化铝掩模通过反应离子刻蚀进行Si纳米图案化
机译:通过片上自组装多孔阳极氧化铝掩模通过反应离子刻蚀进行Si纳米图案化