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机译:使用嵌段共聚物球形结构的硬掩模叠层硅模蚀刻,用于2.8Tbit / in。〜2的位图介质
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
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Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan;
Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Hitachi, Ibaraki 319-1292, Japan;
机译:使用碳硬掩模(CHM)作为掩模的CF_4蚀刻,对23 nm直径嵌段共聚物自组装纳米点的图案转移
机译:使用自组装PS-b-PAA Diblock共聚物掩模通过等离子刻蚀制造黑色硅的硅图案
机译:APS -APS 3月会议2017年 - 事件 - 使用块共聚物创建用于蚀刻硅和二氧化硅的金属氧化物硬掩模
机译:使用CF4蚀刻用碳硬掩模(CHM)作为掩模使用CF4蚀刻的23nm-径块共聚物自组装纳米块的图案转移
机译:硅纳米粒子蚀刻的尺寸依赖性:出人意料的快速氢生成和新颖的中间结构。
机译:聚苯乙烯-嵌段-聚(环氧乙烷)共聚物作为堆叠的球形大中孔二氧化硅涂层的模板:二氧化硅孔径对PS / PEO比的依赖性
机译:通过聚苯乙烯 - 聚二甲基硅氧烷嵌段共聚物中聚二甲基硅氧烷的定量蚀刻产生的具有球形和螺旋形腔的纳米多孔材料