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机译:衬底补偿对带缓冲层的4H-SiC MESFET直流特性的作用:二维模拟与分析研究相结合
School of Electrical Sciences, Indian Institute of Technology Bhubaneswar, Bhubaneswar-751013, Odisha, India;
School of Electrical Sciences, Indian Institute of Technology Bhubaneswar, Bhubaneswar-751013, Odisha, India;
MESFETs; HPSI; Ⅰ-Ⅴ Characteristics; Deep Level Traps; Substrate Compensation; MMICs;
机译:描述p缓冲层对4H-SiC功率MESFET的Ⅰ-V特性影响的紧凑模型
机译:具有深陷阱补偿的半绝缘衬底上具有p缓冲层的GaAs MESFET的数值模拟
机译:用低温生长的GaAs缓冲层制造的GaAs MESFET的电荷收集特性:计算机仿真
机译:基材补偿对4H-SiC MESFET的DC特性的作用,具有缓冲层:组合二维模拟和分析研究
机译:调节语义系统:双侧前颞叶在对抗命名中的作用-结合tDCS和眼动追踪研究。
机译:用HVPE使用组合缓冲层在蓝宝石上制造2英寸独立的GaN衬底
机译:4H-SIC凹槽型磁架DC特性研究