机译:描述p缓冲层对4H-SiC功率MESFET的Ⅰ-V特性影响的紧凑模型
Microelectronics Institute, Xidian University, Xian 710071, China;
silicon carbide; RF power MESFET; p-buffer layer; pinch off voltage;
机译:具有Γ栅极和凹入p缓冲层的4H-SiC MESFET的性能得到改善
机译:具有双凹p缓冲层的改进的多凹4H-SiC MESFET
机译:具有多凹p缓冲层的新型4H-SiC MESFET用于高能效应用
机译:p缓冲层厚度不同的4H-SiC MESFET在微波功率器件应用中的数值模拟
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:改进的DRUS 4H-SiC MESFET具有高功率附加效率
机译:改进了具有凹陷漏极漂移区和凹陷的P缓冲层的栅极栅极4H-SiC MESFET