Study on DC Characteristics of 4H-SiC Recessed-Gate MESFETs

机译：4H-SIC凹槽型磁架DC特性研究

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1. The Role of Substrate Compensation on DC Characteristics of 4H-SiC MESFET with Buffer Layer: A Combined Two-Dimensional Simulations and Analytical Study [J] . M.Hema Lata Rao, Neti.V.L.Narasimha Murty Materials science forum . 2014,第pta2期

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2. DC and microwave performance of recessed-gate GaN MESFETs using ICP-RIE [J] . C. Lee, W. Lu, E. Piner Solid-State Electronics . 2002,第5期

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3. A novel 4H-SiC MESFET by lateral insulator region to improve the DC and RF characteristics [J] . Roustaie Zohreh, Orouji Ali A. International journal of electronics . 2018,第4a6期

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4. The Role of Substrate Compensation on DC Characteristics of 4H-SiC MESFET with Buffer Layer: A Combined Two-Dimensional Simulations and Analytical Study [C] . M.Hema Lata Rao, Neti.V.L.Narasimha Murty Conference on Silicon Carbide and Related Materials . 2014

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5. A comparative study of DC-DC converters' effects on the output characteristics of direct ethanol fuel cells and nickel cadmium batteries [D] . Misoc, Florian 2007

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6. Relationship Study of The Verified Human Epidermal GrowthFactor Receptor 2 Amplification with Other Tumor Markers andClinicohistopathological Characteristics in Patients with InvasiveBreast Cancer Using Chromogenic In Situ Hybridization [O] . Abdolazim Sarli, Hossein Mozdarani, Nasser Rakhshani, 2019

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7. DC and microwave performance of recessed-gate GaN MESFETs using ICP-RIE [O] . C. Lee A, W. Lu A, E. Piner B, 2001

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8. Study of Bulk and Elementary Screw Dislocation Assisted Reverse Breakdown in Low-Voltage (<250 V) 4H-SiC pn Junction Diodes - Part 1: DC Properties [R] . Neudeck, Philip G., Huang, Wei, Dudley, Michael 1999

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