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孙智;
南京理工大学;
溶胶凝胶; 缓冲层; 光学特性; 结晶质量; 薄膜制备;
机译:通过脉冲激光沉积在GaN /蓝宝石衬底上的后退火缓冲层上的ZnO外延层的特性
机译:用C-AFM研究含Ag缓冲层的Si衬底上ZnO薄膜的I-V特性
机译:ZnO缓冲层的结晶度对沉积在c-蓝宝石衬底上的外延(ZnO:Al)/(ZnO:Ga)双层薄膜性能的影响
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:通过原子层沉积制备的各种衬底和ZnO超薄种子层对ZnO纳米线阵列生长的影响的研究
机译:载流子注入到mEsFET衬底中的影响:mEsFET在半绝缘缓冲器,p衬底上的mEsFET和无衬底mEsFET上的比较
机译:使用MgxZn1-xO / ZnO材料和MgxZn1-xO / ZnO结构调整压电性能
机译:ALD ZnO种子层,用于在硅衬底上沉积ZnO纳米结构
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