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崔军朋; 段垚; 王晓峰; 曾一平;
中国科学院,半导体研究所材料中心,北京,100083;
ZnO薄膜; Au缓冲层; 化学气相沉积;
机译:评论“使用Si〜+预离子注入到Si衬底上以增强Ge_xsi_(1-x)变质缓冲层的应变弛豫,以在Si衬底上生长Ge层” [应用物理来吧90,083507(2007)]
机译:用C-AFM研究含Ag缓冲层的Si衬底上ZnO薄膜的I-V特性
机译:使用ahomo缓冲层改善Si衬底上ZnO薄膜的晶体质量
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:氮化锆/氮化铝缓冲层,用于在硅基板上外延生长(铟,镓)氮化物。
机译:Au-Cu-Ni缓冲层上的L10-FeNi膜:高通量组合研究
机译:评论“使用Si +离子预注入到Si衬底上以增强GexSi1-x变质缓冲层的应变弛豫,以便在Si衬底上生长Ge层” Appl Phys Lett 90,083507(2007)
机译:使用siGe缓冲层在si衬底上生长的单结InGap / Gaas太阳能电池
机译:在Si衬底的REAIN / REO缓冲层上外延生长的REN半导体层
机译:在Si衬底上的REN外延缓冲层上生长的III-N材料
机译:在Si衬底上的ErAlN缓冲层上生长的III-N材料
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