机译:沟槽后处理对顶部和底部氧化物厚的4H-SiC沟槽-MOS结构的电学特性的影响
Robert Bosch GmbH, Gerlingen-Schillerhoehe, Germany;
Robert Bosch GmbH, Gerlingen-Schillerhoehe, Germany;
Robert Bosch GmbH, Gerlingen-Schillerhoehe, Germany;
Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology, Erlangen, Germany;
Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology, Erlangen, Germany,Electron Devices, University of Erlangen-Nuremberg, Erlangen, Germany;
4H-SiC; MOS; trench; post-trench processing; interface; breakdown; reliability;
机译:不同的后处理工艺对4H-SiC MOS结构电性能的影响
机译:4H-SiC 3D Trench-MOS结构上的各种栅氧化物的表征
机译:厚底氧化物的4H-SiC V槽沟槽MOSFET的栅极氧化物可靠性
机译:多样性沟槽过程对4H-SIC MOS结构电性能的影响
机译:二氧化钌的微结构发展和电学性质-玻璃厚膜电阻器-非等温研究(混合电路,电陶瓷,微电子学)。
机译:固溶氧化锌薄膜的形貌对薄膜晶体管电学特性的影响
机译:双极传导对1.2和3.5kV 4H-siC JBs二极管的电特性和可靠性的影响
机译:增强的热载流子自发和受激复合在具有多个顶部和底部天然氧化物反射镜的光泵浦垂直腔al(x)Ga(1-x)as-Gaas量子阱异质结构中