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机译:通过准分子激光辐照提高具有纳米粗糙化p-GaN表面的InGaN / GaN发光二极管的性能
Department of Photonics, Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC;
gallium nitride (GaN); light emitting diode (LED); excimer laser;
机译:纳米粗糙p-GaN表面改善了InGaN-GaN发光二极管的性能
机译:具有纳米粗糙化的p-GaN表面的基于InGaN / GaN的发光二极管的光提取效率的提高
机译:具有纳米粗糙p-GaN表面的InGaN / GaN发光二极管的增强的光输出
机译:通过自组装金属簇通过P-GaN表面改性改进InGaN / GaN发光二极管的光输出功率
机译:InGaN / GaN发光二极管热性能的调查分析
机译:聚苯乙烯纳米光学光刻法制备的光子晶体结构P-GAN纳米棒的研究提高了INGAN / GAN绿色发光二极管光提取效率
机译:关于InGaN / GaN发光二极管的n-GaN层中N-GaN / P-GaN / N-GaN / P-GaN / N-GaN内置结的影响