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机译:使用四(二甲基氨基)钛和H_2O前驱体通过原子层沉积来晶圆级制备共形原子层TiO_2
Univ Ghent, Global Campus,119 Songdomunhwa Ro, Incheon, South Korea;
Univ Ghent, Global Campus,119 Songdomunhwa Ro, Incheon, South Korea;
Univ Ghent, Global Campus,119 Songdomunhwa Ro, Incheon, South Korea;
North Univ China, Key Lab Instrumentat Sci & Dynam Measurement, Minist Educ, Taiyuan 030051, Peoples R China;
North Univ China, Sch Mat Sci & Engn, Taiyuan 030051, Peoples R China;
Melbourne Ctr Nanofabricat, 151 Wellington Rd, Clayton, Vic 3168, Australia;
Atomic-layered TiO2; Atomic layer deposition; TDMAT precursor;
机译:使用四(二甲基氨基)钛(TDMAT)和H
机译:四(二甲基氨基)钛和H_2O沉积TiO_2的原子层
机译:原位椭圆形测定法监测来自四(二甲基脒)钛(Ⅵ)和Si和In_(0.53)Ga_(0.47)的钛(Ⅵ)和H_2O前体作为基板的TiO_2原子层沉积
机译:四(乙基甲基氨基)锡前驱体用于薄膜晶体管的原子层沉积法制备氧化锡膜
机译:使用四-二甲基酰胺基钛和水前体在硅和砷化镓衬底上沉积二氧化钛的原子层。
机译:使用四(二甲基氨基)钛(TDMAT)和H2O前体通过原子层沉积制备保形二维TiO2的数据集
机译:通过等离子体增强的原子层沉积使用四甲基(二甲基氨基)钛(TDMAT)和四氯化钛(TiCl4)前体制备的锡薄膜的数据集
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。