机译:通过等离子分子束外延在200 mm硅衬底上生长高度均匀的AlGaN / GaN HEMT膜
Raytheon Company, Andover, Massachusetts 01810|c|;
机译:通过分子束外延在硅(001)衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT
机译:通过等离子体辅助分子束外延(MBE)制备的硅衬底上的AlN / GaN和AlN / AlGaN / GaN薄膜的结构和光学性质
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:通过等离子体辅助分子束外延生长在2至25 GHz下工作的高功率GaN / AlGaN / GaN HEMT
机译:分子束外延在6个氢碳化硅衬底上生长的氧化镁纳米薄膜的工艺建模与化学计量分析
机译:RF-等离子体辅助氧化物分子束外延生长在石英玻璃基板上的VO2热致变色膜
机译:Al2O3(0001)衬底的解离以及硅和氧在气源分子束外延生长的N型Gan薄膜中的作用