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Low temperature sintering of nano-SiC using a novel Al_8B_4C_7 additive

机译:使用新型Al_8B_4C_7添加剂对纳米SiC进行低温烧结

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摘要

Al_8B_4C_7 was used as a sintering additive for the densification of nano-SiC powder. The average grain size was approximately 70 nm after sintering SiC-12.5 wt% Al_8B_4C_7 at 1550℃. The densification rate strongly depended on the sintering temperature and the applied pressure. The rearrangement of SiC particles occurred at the initial shrinkage, while viscous flow and liquid phase sintering became important at the middle and final stage of densification.
机译:Al_8B_4C_7作为烧结添加剂用于纳米SiC粉末的致密化。在1550℃烧结SiC-12.5 wt%Al_8B_4C_7后,平均晶粒尺寸约为70 nm。致密化率很大程度上取决于烧结温度和所施加的压力。 SiC颗粒的重排发生在初始收缩时,而粘性流和液相烧结在致密化的中间阶段和最后阶段变得很重要。

著录项

  • 来源
    《Journal of Materials Research》 |2010年第3期|471-475|共5页
  • 作者单位

    Korea Institute of Materials Science, Changwon, Gyeongnam, 641-831 Republic of Korea;

    rnNational Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0047 Japan;

    rnNational Institute for Materials Science, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044 Japan;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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