含前驱体SiC粉体低压成型低温烧结SiC多孔陶瓷

摘要

采用聚碳硅烷和SiC粉体为原料低压成型低温烧结制备SiC多孔陶瓷,研究了聚碳硅烷含量对SiC多孔陶瓷性能的影响.SEM分析表明,聚碳硅烷裂解产物将SiC颗粒粘结起来.多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构.烧成SiC多孔陶瓷的孔隙孔径为单峰分布、分布窄.室温至800℃之间多孔陶瓷的平均热膨胀系数为4.2×10-6 K-1.随着聚碳硅烷含量的增大.SiC多孔陶瓷的孔隙率降低、三点弯折强度增大,当聚碳硅烷质量分数为10%时分别为44.3%和31.7MPa.