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机译:GaN肖特基二极管对其I-V特性的热效应
Myong Ji Univ, Dept Ceram Engn, Semicond Mat Devices Lab, Kyunggido 449728, South Korea;
ionization of dopants; I-V curve; ohmic; Schottky diode; FIELD-EFFECT TRANSISTORS; NITRIDE; RECTIFIERS; PERFORMANCE;
机译:GaN肖特基二极管的温度依赖性I-V特性
机译:使用亚微米肖特基接触评估GaN晶体质量-缺陷与低载流子密度n-GaN的I-V特性之间的相关性
机译:利用亚微米肖特基触点评价GaN晶体质量 - 低载波密度N-GaN的缺陷与I-V特征之间的相关性
机译:热效应对TiO_2和GaN溶胶凝胶驱动的肖特基二极管的I-V特性的影响
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:通过电感耦合等离子体(ICP)和器件特性优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面蚀刻
机译:具有SiNx纳米网络的GaN上的Au ∕ Ni肖特基二极管的I-V特性
机译:稀土掺杂GaN肖特基二极管的电子特性。